انتشار مقاله رشد نانوتيوب كربن بر روي زيرلايه سيليكون در دانشكده مهندسي برق دانشگاه تهران
تاریخ خبر :
1384/05/06
تعداد بازدید :
831
متن خبر
| محققان دانشكده مهندسي برق دانشگاه تهران موفق به ساخت و رشد عمودي نانولولههاي كربن به روش PECVD بر روي زيرلايه سيليكون شدند. اين نوع ساختار براي شناخت ابزارهاي الكترونيكي گسيل ميداني مناسب است. ساخت اين نانولولههاي عمودي در بازه دمايي 500 تا 600 درجه سانتيگراد، فشار 5/3 تورر و در محيطي با تركيبات C2H2 و H2 ساخته شدهاند. طول نانولولههاي به دست آمده تا 10 ميكرون ميرسد. در اين تحقيق شرايط رشد و گسيل الكترون از نانوتيوب مورد مطالعه قرار گرفته است. از ديگر يافتههاي اين گروه اين است كه تغيير دما در حين رشد باعث ايجاد ساختارهاي مخروطيشكل ميشود كه نوكتيز بودن اين ساختارها كارآيي آنها را براي مصارف گسيل ميداني و ترانزيستورها افزايش ميدهد. |
|
|
منبع :
ISI Web of Knowledge is an integrated platform designed to support research in ...
منبع :
Welcome to the ISI Web of Knowledge Education and Training Access Portal ...
منبع :
access.isiproducts.com/educate
